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GaAs(001)衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究

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来源 半导体学报 ,1999,20(3):225 【核心库】
地址

中科院半导体所, 北京, 100083

语种 中文
ISSN 0253-4177
学科 物理学
基金 国家863计划
文献收藏号 CSCD:532467

参考文献 共 7 共1页

1.  Yang H. Phys Statue Solid B,1996,194:109 被引 6    
2.  Brandt O. Appl Phys Lett,1996,69:2707 被引 4    
3.  MELin. Appl Phys Lett,1993,63:932 被引 1    
4.  Wu Jun. Jpn J Appl Phys A,1997,36(7):4241 被引 1    
5.  Jiang Desheng. Appl Phys Lett,1998,72(3):365 被引 4    
6.  Sun X L. Appl Phys Lett 被引 1    
7.  沈学础. 半导体光学性质,1992 被引 30    
引证文献 5

1 李顺峰 高质量立方相InGaN的生长 半导体学报,2000,21(6):548
被引 2

2 修向前 利用高频Plasma CVD在蓝宝石衬底上生长立方GaN缓冲层及其光学性质 半导体学报,2001,22(2):182
被引 2

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杨辉 0000-0001-5013-0469
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