|
GaAs(001)衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究
查看参考文献7篇
来源
|
半导体学报
,1999,20(3):225 【核心库】
|
地址
|
中科院半导体所, 北京, 100083
|
语种
|
中文 |
ISSN
|
0253-4177 |
学科
|
物理学 |
基金
|
国家863计划
|
文献收藏号
|
CSCD:532467
|
参考文献 共
7
共1页
|
1.
Yang H.
Phys Statue Solid B,1996,194:109
|
被引
6
次
|
|
|
|
2.
Brandt O.
Appl Phys Lett,1996,69:2707
|
被引
4
次
|
|
|
|
3.
MELin.
Appl Phys Lett,1993,63:932
|
被引
1
次
|
|
|
|
4.
Wu Jun.
Jpn J Appl Phys A,1997,36(7):4241
|
被引
1
次
|
|
|
|
5.
Jiang Desheng.
Appl Phys Lett,1998,72(3):365
|
被引
4
次
|
|
|
|
6.
Sun X L.
Appl Phys Lett
|
被引
1
次
|
|
|
|
7.
沈学础.
半导体光学性质,1992
|
被引
30
次
|
|
|
|
|
|