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SiGe/Si异质结构的x射线双晶衍射

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邹德恕 1   徐晨 1   罗辑 1   魏欢 1   董欣 1   周静 1   杜金玉 1   高国 1   陈建新 1   沈光地 1   王玉田 2  
文摘 通过X射线双晶衍射图形讨论了SiGe/Si HBT的电学特性与晶格结构的关系。
来源 半导体技术 ,2000,25(1):36 【扩展库】
关键词 SiGe/Si ; x射线双晶衍射 ; 光程差 ; 弛豫
地址

1. 北京工业大学电子工程系, 北京, 100022  

2. 中科院半导体所, 北京, 100083

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 1003-353X
学科 电子技术、通信技术
基金 北京市自然科学基金 ;  国家863计划
文献收藏号 CSCD:532148

参考文献 共 2 共1页

1.  庄岩. 研究半导体超晶格界面粗糙的X射线双晶Pendellosung方法. 物理学报,1995,44(7):1073 被引 1    
2.  邹德恕. 在液氮温度下具有高增益的SiGe/Si HBT. 半导体学报,1997,18(5):367 被引 4    
引证文献 1

1 焦岗成 用X射线衍射研究缓冲层对GaInAs材料的影响 半导体技术,2012,37(4):288-290,325
被引 0 次

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周静 0000-0002-6449-1561
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