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1. 北京工业大学电子工程系, 北京, 100022
2. 中科院半导体所, 北京, 100083
参考文献 共 2 共1页
1 焦岗成 用X射线衍射研究缓冲层对GaInAs材料的影响 半导体技术,2012,37(4):288-290,325 被引 0 次
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