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硅片接触表面的弹性形变范围

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来源 半导体光电 ,2001,22(6):440 【扩展库】
关键词 弹性形变 ; 应力场 ; 硅片键合 ; 表面接触
地址

中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京, 100083

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 1001-5868
学科 电子技术、通信技术
基金 国家973计划 ;  国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:532033

参考文献 共 4 共1页

1.  Maszara W P. J Appl Phys,1991,69(1):257 被引 3 次    
2.  Tong Q Y. Materials Chemistry and Physics,1994,37:101 被引 8 次    
3.  Yu H H. J Mech Phys Solids,1998,46(5):829 被引 5 次    
4.  Gui C. J Appl Phys,1999,85(10):7448 被引 13 次    
引证文献 1 篇

1 程长征 边界元法分析薄形层合结构 应用力学学报,2007,24(4):514-518
被引 1 次

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