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文摘
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报道了采用质子注入制作平面掩埋条形高频DFB激光器。质子注入提高了限制层对电流的限制作用，并减小了限制层的寄生电容；DFB激光器的斜率效率由注入前的0.147mW/mA提高到0.216mW/mA；电容测试结果表明：质子注入使pnpn结构的势垒电容明显减小，激光器的寄生电容由注入前的约100pF降至注入后的6pF；激光器的3dB调制带宽由注入前的500MHz提高到5.66GHz。高温老化筛选结果表明，质子注入对激光器的可靠性基本没有影响。 |
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来源
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半导体光电
,2000,21(4):245 【扩展库】
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关键词
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DFB激光器
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质子注入
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寄生电容
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调制带宽
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地址
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中科院半导体所国家光电子工艺中心, 北京, 100083
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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1001-5868 |
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学科
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电子技术、通信技术 |
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基金
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国家自然科学基金
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国家863计划
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文献收藏号
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CSCD:531861
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