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12位LC~2MOS工艺数模转换器总剂量电离辐射效应
Total Ionizing Dose Effect on 12-bit LC2 MOS Digital-to-analog Converter
查看参考文献13篇
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文摘
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为了研究数模转换器在电离辐射环境中的可靠性,选取12位LC~2MOS工艺的数模转换器作为研究对象,使用~(60)Co γ射线源对其进行了不同剂量率、不同偏置条件下的总剂量电离辐射效应研究。试验结果表明,LC~2MOS工艺的数模转换器对辐射剂量率非常敏感,高剂量率条件下的辐射损伤较低剂量率条件下的更为显著;不同偏置条件下,其辐射损伤程度也有很大不同,正常工作偏置下的数模转换器辐射损伤较非工作偏置的辐射损伤更为明显。 |
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其他语种文摘
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12-bit digital-to-analog converter (DAC) in LC~2MOS technology was irradiated by ~(60)Co γ ray at high and low dose rates under two bias conditions to investigate total ionizing dose effect of the DAC. T he results show that the DAC in LC~2MOS technology is sensitive to dose rates, and radiation failure level is more significant at high dose rate compared to low dose rate.Under different bias conditions, the radiation failure levels are different,and the radiation damage under the operating bias condition is more severe. |
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来源
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原子能科学技术
,2013,47(12):2355-2360 【核心库】
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DOI
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10.7538/yzk.2013.47.12.2355
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关键词
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电离辐射
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数模转换器
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剂量率效应
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LC~2MOS
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地址
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中国科学院新疆理化技术研究所, 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 新疆, 乌鲁木齐, 830011
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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1000-6931 |
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学科
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电子技术、通信技术 |
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文献收藏号
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CSCD:5024157
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参考文献 共
13
共1页
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