帮助 关于我们

返回检索结果

外电场对InGaAsP/InP量子阱内激子结合能的影响
External electric field effect on exciton binding energy in InGaAsP/InP quantum wells

查看参考文献29篇

王文娟 1   王海龙 1 *   龚谦 2   宋志棠 2   汪辉 3   封松林 3  
文摘 在有效质量近似下采用变分法计算了InGaAsP/InP量子阱内不同In组分下的激子结合能，分析了结合能随阱宽和In组分的变化情况，并且讨论了外加电场对激子结合能的影响. 结果表明：激子结合能是阱宽的一个非单调函数，随阱宽的变化呈现先增加后减小的趋势；随着In组分增大，激子结合能达到最大值的阱宽相应变小，这与材料的带隙改变有关；在一定范围内电场的存在对激子结合能的影响很小，但电场强度较大时会破坏激子效应.
其他语种文摘 Exciton binding energies in InGaAsP/InP quantum well with different contents of In are calculated through variational method in the effective mass approximation. The variation of exciton binding energy as a function of well width, In content, and applied external electric field is studied. It is shown that the exciton binding energy is a non-monotonic function of well width. It increases first until reaching a maximum, and then decreases as the well width increases farther. In addition, with the increase of In content, the well width should increase to reach the maximum value of exciton binding energy. It is also found that the external electric field has little effect on binding energy, but when the electric field is large enough, it will destroy the excitonic effect. These results may provide some theoretical basis for the design and control of InGaAsP/InP optical devices.
来源 物理学报 ,2013,62(23):237104-1-237104-5 【核心库】
DOI 10.7498/aps.62.237104
关键词 激子 ; InGaAsP/InP量子阱 ; 结合能 ; 电场
地址

1. 曲阜师范大学物理系, 山东省激光偏光与信息技术重点实验室, 曲阜, 273165  

2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 信息功能材料国家重点实验室, 上海, 200050  

3. 中国科学院上海高等研究院, 上海, 201203

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 1000-3290
学科 物理学
基金 国家自然科学基金 ;  山东省自然科学基金 ;  信息功能材料国家重点实验开放课题资助的课题
文献收藏号 CSCD:5018698

参考文献 共 29 共2页

1.  Turkowski V. Phys. Rev. B,2009,79:233201 被引 1 次    
2.  Gil B. Phys. Rev. B,2012,85:075205 被引 1 次    
3.  张红. 物理学报,2007,56:0487 被引 2 次    
4.  Ha S H. J. Phys.: Condens. Matter,2008,20:085218 被引 8 次    
5.  Kuo Y H. Phys. Rev. B,2009,79:245328 被引 4 次    
6.  High A A. Nature,2012,483:584 被引 2 次    
7.  Schaller R D. Phys. Rev. Lett,2004,92:186601 被引 52 次    
8.  Albrecht K F. Phys. Rev. B,2012,86:081412 被引 5 次    
9.  Wang Z J. Phys. Rev. Lett,2006,96:047403 被引 1 次    
10.  You H L. Chin. Phys. B,2009,18:0349 被引 1 次    
11.  Chen J. Science,2005,310:1171 被引 8 次    
12.  胡振华. 非对称耦合量子阱中亚毫米波辐射及其带间激子复合发光特性的理论研究. 物理学报,2003,52:1488 被引 4 次    
13.  Belhadj T. Phys. Rev. Lett,2009,103:086601 被引 2 次    
14.  李文生. 电场调谐InAs量子点荷电激子光学跃迁. 物理学报,2013,62:047801 被引 2 次    
15.  Klimov V I. Nature,2007,447:441 被引 21 次    
16.  Dvorak M. Phys. Rev. Lett,2013,110:016402 被引 3 次    
17.  Shen M. Symmetry and size effects on energy and entanglement of an exciton in coupled quantum dots. Chin. Phys. B,2013,22:047101 被引 4 次    
18.  Tudury H A P. Phys. Rev. B,2001,64:153301 被引 1 次    
19.  Kong D H. Ultrashort Pulse Generation at Quasi-40-GHz by Using a Two-Section Passively Mode-Locked InGaAsP-InP Tensile Strained Quantum-Well Laser. Chin. Phys. Lett,2012,29:024201 被引 1 次    
20.  尹新. GaInAsP/InP阶梯量子阱中氢施主杂质束缚能. 量子电子学报,2013,30:236 被引 1 次    
引证文献 3 篇

1 杨洪涛 极性晶体膜中强耦合激子的性质 原子与分子物理学报,2015,32(1):163-167
被引 0 次

2 王海龙 GaInAsP/InP阶梯量子阱中电子-电子的散射率 发光学报,2016,37(11):1408-1414
被引 0 次

显示所有3篇文献

论文科学数据集
PlumX Metrics
相关文献

 作者相关
 关键词相关
 参考文献相关

iAuthor 链接
封松林 0000-0001-5515-2034
版权所有 ©2008 中国科学院文献情报中心 制作维护：中国科学院文献情报中心
地址：北京中关村北四环西路33号 邮政编码：100190 联系电话：(010)82627496 E-mail:cscd@mail.las.ac.cn 京ICP备05002861号-4 | 京公网安备11010802043238号