1 eV吸收带边GaInAs/GaNAs超晶格太阳能电池的阱层设计
Well layer design for 1eV absorption band edge of GaInAs/GaNAs super-lattice solar cell
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文摘
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使用In,N分离的GaInAs/GaNAs超晶格作为有源区是实现高质量1eV带隙 GaInNAs基太阳能电池的重要方案之一. 为在实验上生长出高质量相应吸收带边的超晶格结构,本文采用计算超晶格电子态常用的Kronig-Penney模型比较了不同阱层材料选择下,吸收带边为1 eV的GaInAs/GaNAs超晶格相关参数的对应关系以及超晶格应变状态. 结果表明: GaNAs与GaInAs作为超晶格阱层材料在实现1 eV的吸收带边时具有不同的考虑和要求; 在固定1 eV的吸收带边时,GaNAs材料作为阱层可获得较好的超晶格应变补偿,将有利于生长高质量且充分吸收的太阳能电池有源区. |
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其他语种文摘
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The GaInAs/GaNAs super-lattice with a feature of space separation of In and N constituents as an active region, is one of the most important ways to achieve 1 eV GaInNAs-based solar cells. To experimentally realize the high-quality super-lattice structure with the required band-gap, Kronig-Penney model is used to obtain the barrier thickness dependence on the well thickness and its composition. Meanwhile, the strain state of GaInAs/GaNAs SLs with various well choices is also discussed. Results show that when both the GaNAs and GaInAs act as the well layers the super-lattice can achieve 1 eV band-gap, and when the GaN_(0.04)As_(0.96) is considered to act as the well layer, the entire GaInAs/GaNAs SLs have smaller strain accumulations as compared with the case of Ga_(0.7)In_(0.3)As as the well layer in the super-lattice structure. |
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来源
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物理学报
,2013,62(21):218801-1-218801-5 【核心库】
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DOI
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10.7498/aps.62.218801
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关键词
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GaInAs/GaNAs超晶格
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Kronig-Penney模型
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太阳能电池
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地址
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 中国科学院纳米器件与应用重点实验室, 苏州, 215123
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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1000-3290 |
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基金
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国家自然科学基金
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苏州市国际合作项目
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文献收藏号
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CSCD:4981268
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17
共1页
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