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文摘
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该文研究了富硅氧化硅薄膜掺入铒的发光特性。富硅氧化硅薄膜(氧含量为60%)采用PECVD方法生长，室温下离子注入铒，经过800℃，5min的退火，在10－～300K温度下得到较强的波长1.54μm光致发光。发光强度随温度升高下降，其温度猝灭激活能为14.3meV。发光谱表明富硅氧化硅中Er-O发光中心仍具有T_d对称性。 |
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来源
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半导体学报
,1999,20(1):67 【核心库】
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关键词
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铒
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氧化硅薄膜
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光致发光
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地址
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中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京
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语种
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中文 |
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文献类型
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简报 |
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ISSN
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0253-4177 |
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学科
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电子技术、通信技术 |
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文献收藏号
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CSCD:490820
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