高质量InGaN的等离子体辅助分子束外延生长和In的反常并入行为
High-quality InGaN epilayers grown by PA-MBE and abnormal incorporation behavior of Indium into InGaN
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文摘
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采用射频等离子体辅助分子束外延技术生长得到了In组分精确可控且高质量的In_xGa_(1-x)N (x≤ 0.2)外延薄膜。生长温度为580 ℃的In_(0.19)Ga_(0.81)N薄膜(10.2)面非对称衍射峰的半高宽只有587弧秒,背景电子浓度为3.96× 10~(18)/cm~3。在富金属生长区域,Ga束流超过N的等效束流时,In组分不为零,即Ga并没有全部并入外延层;另外,稍微增加In束流会降低InGaN的晶体质量。 |
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其他语种文摘
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Growth behaviors of In_xGa_(1-x)N (x≤ 0.2) materials by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PA-MBE) are investigated in detail. A precise control of the incorporation of indium into In_xGa_(1-x)N at a growth temperature of 580 ℃ is realized. The In_(0.19)Ga_(0.81)N shows a very narrow width of 587 arcsec for the (10.2) asymmetrical reflection from high-resolution X-ray diffraction and the background electronic concentration is 3.96× 10~(18) cm~3. In the region of metal-rich growth, no negligible indium incorporation is observed even if the Ga beam flux is much larger than the equivalent N flux. This growth behavior might be ascribed to an incomplete Ga incorporation during InGaN growth. In addition, a slight increase of In flux results in crystalline quality degradation of InGaN epilayers. |
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来源
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物理学报
,2013,62(8):086101-1-086101-6 【核心库】
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DOI
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10.7498/aps.62.086101
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关键词
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InGaN 外延薄膜
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射频等离子体辅助分子束外延
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In 并入
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晶体质量
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地址
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 中国科学院纳米器件与应用重点实验室, 苏州, 215123
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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1000-3290 |
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学科
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电子技术、通信技术 |
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文献收藏号
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CSCD:4808712
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参考文献 共
23
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