|
文摘
|
采用高压电子显微镜(HVEM)的原位观察技术，在1MV加速电压和室温至650℃加热条件下，观察了氢离子注入硅片中缺陷层的变化。在500℃以下，氢离子注入缺陷层基本没有变化，在650℃保温时，缺陷的密度逐渐降低，样品中薄区域部分的缺陷在保温20min后消失，而厚区域部分在保温40min后仍存有部分缺陷，说明缺陷的变化与样品厚度有关。用氢的扩散理论讨论了这一现象，提出氢可能是以H_2分子的形式扩散的。 |
|
来源
|
中国有色金属学报
,1998,8(4):626 【核心库】
|
|
关键词
|
硅
;
高压电子显微镜
;
离子注入
;
氢
;
扩散
|
|
地址
|
1.
北京有色金属研究总院, 北京, 100088
2.
北京电子显微镜开放实验室, 北京电子显微镜开放实验室, 北京, 100080
3.
中科院半导体所, 北京, 100083
|
|
语种
|
中文 |
|
文献类型
|
研究性论文 |
|
ISSN
|
1004-0609 |
|
学科
|
电子技术、通信技术 |
|
文献收藏号
|
CSCD:480864
|
|
|
1.
Li J.
Mater Res Soc Symp Proc,1996,396:745
|
被引
1
次
|
|
|
|
|
2.
Li Jianming.
Appl Phys Lett,1995,67:444
|
被引
4
次
|
|
|
|
|
3.
Li Jianming.
Appl Phys Lett,1989,55:2223
|
被引
4
次
|
|
|
|
|
4.
Gao M.
J Appl Phys,1996,80:4767
|
被引
3
次
|
|
|
|
|
5.
Chang K J.
Phys Rev B,1989,40:11644
|
被引
2
次
|
|
|
了解气象卫星更多信息，请访问