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氢促进位错发射的分子动力学模拟
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文摘
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利用第一原理和陈氏三维晶格反演公式获得了Al和H的互作用对势。分子动力学计算表明,当Al晶体中含H时,裂尖发射位错的临界应力强度因子从0.11MPam~(1/2)降低为0.075MPam~(1/2)(C_H=0.72%)和0.06MPam~(1/2)(C_H=1.44%),即氢促进了位错的发射。计算表明,氢在裂尖富集后能形成许多小气团,同时使平衡空位浓度升高。 |
来源
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中国科学. E辑
, 技术科学,1998,28(1):1 【核心库】
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关键词
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氢
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位错发射
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分子动力学
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计算机模拟
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地址
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1.
北京科技大学材料物理系, 北京
2.
中科院力学所, 北京
3.
北京科技大学应用物理所, 北京
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语种
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中文 |
文献类型
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研究性论文 |
ISSN
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1006-9275 |
学科
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物理学 |
基金
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国家自然科学基金
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文献收藏号
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CSCD:476400
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参考文献 共
5
共1页
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