帮助 关于我们

返回检索结果

部分耗尽绝缘层附着硅静态随机存储器总剂量辐射损伤效应的研究
Research on the total dose irradiation effect of partial-depletion-silicon-on insulator static random access memory

查看参考文献12篇

文摘 通过分析部分耗尽绝缘层附着硅互补金属氧化物半导体静态随机存储器(SRAM)在动态偏置条件下的电学参数和功能参数随累积剂量的变化规律,研究了绝缘层附着硅(SOI)工艺SRAM器件在~(60)Co-γ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应及器件敏感参数与功能错误数之间的相关性,为进一步深入研究大规模SOI集成电路的抗总剂量辐射加固及其辐射损伤评估提供了可能的途径和方法.实验结果表明:辐射引起的场氧和埋氧漏电是功耗电流增大的主要原因;阈值电压漂移造成输出高电平下降、低电平微小上升和峰-峰值大幅降低,以及传输延迟增大;当总剂量累积到一定程度,逻辑功能因关断功能的失效而出现突变错误;传输延迟和输出高电平与逻辑功能错误之间存在一定相关性.
其他语种文摘 In this paper,the changes of electrical parameters and their functional errors with the total radiation dose are studied,when the PDSOI static random access memory(SRAM) is irradiated under different total doses.After the SOI SRAM is irradiated by the ~(60)Co-γray,the total dose radiation damage mechanism and the correlation between the changes of device parameters and function errors are discussed.For the large-scale SOI integrated circuits,this provides a possible method to further study the total dose radiation hardening and the radiation damage assessment of the devices.It is indicated that the increase of current consumption is due mainly to the radiation-induced leakage current from both field oxygen and buried oxide.The drift of threshold voltage creates the decline in output high level,the slight increase in output low level,the significant reduction in peak-peak value,and the increase of transmission delay.When the total dose accumulates and reaches a certain amount of dose,the logic mutation error emerges,resulting in the failure of shutdown function.There is a certain correlation between the transmission delay,the output high and the logic error.
来源 物理学报 ,2012,61(10):106103-1-106103-7 【核心库】
DOI 10.7498/aps.61.106103
关键词 部分耗尽绝缘层附着硅 ; 静态随机存储器 ; 总剂量效应 ; 功耗电流
地址

中国科学院新疆理化技术研究所, 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐, 830011

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 1000-3290
学科 自动化技术、计算机技术
文献收藏号 CSCD:4545973

参考文献 共 12 共1页

1.  刘新宇. CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验. 半导体学报,2002,23:213 被引 6    
2.  Liu S T. IEEE Trans. Nucl. Sci,2003,50:2095 被引 2    
3.  Liu H Y. IEEE Trans. Nucl. Sci,2006,53:3502 被引 2    
4.  Baggio J. IEEE Trans. Nucl. Sci,2005,52:2319 被引 3    
5.  韩郑生. 中国电子报C01,2007 被引 1    
6.  Brady F T. IEEE Trans. Nucl. Sci,1998,45:2436 被引 3    
7.  Fecher P S. IEEE Trans. Nucl. Sci,1997,44:172 被引 2    
8.  郭天雷. 半导体学报,2007,28:1184 被引 1    
9.  赵凯. 抗辐射128kb PDSOI静态随机存储器. 半导体学报,2007,28:1139 被引 5    
10.  郭天雷. 电子器件,2007,30:794 被引 3    
11.  李明. PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究. 核技术,2011,34:452 被引 4    
12.  高博. 物理学报,2011,60:036106 被引 4    
引证文献 4

1 郑齐文 总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究 物理学报,2013,62(11):116101-1-116101-7
被引 2

2 丛忠超 静态随机存储器总剂量辐射损伤的在线与离线测试方法 物理学报,2014,63(8):086101-1-086101-7
被引 2

显示所有4篇文献

论文科学数据集
PlumX Metrics
相关文献

 作者相关
 关键词相关
 参考文献相关

版权所有 ©2008 中国科学院文献情报中心 制作维护:中国科学院文献情报中心
地址:北京中关村北四环西路33号 邮政编码:100190 联系电话:(010)82627496 E-mail:cscd@mail.las.ac.cn 京ICP备05002861号-4 | 京公网安备11010802043238号