|
|
静态随机存储器总剂量辐射及退火效应研究
Research on Total Dose Irradiation and Annealing Effect of Static Random Access Memory
查看参考文献10篇
|
文摘
|
通过比较1Mbit商用静态随机存储器(SRAM)在6种不同偏置条件下器件参数(静态和动态功耗电流)和功能参数(错误数)随辐射总剂量、退火时间的变化规律,研究了不同工作状态对辐射损伤的影响,以及不同偏置和温度(25℃和100℃)条件下的退火机制。结果表明:不同偏置对器件参数和功能退化及退火恢复有较大影响;静态和动态功耗电流为器件的敏感参数,在静态偏置条件下器件的辐射损伤最严重。 |
|
其他语种文摘
|
By comparing changes of device parameters(standby and operating power supply currents) and functional parameters(errors) with the total radiation dose and annealing time for 1 Mbit commercial static random access memory(SRAM) under the six biases,impacts of the different working conditions on radiation damage and annealing at the different biases and temperatures(25 ℃ and 100 ℃) were investigated.The different biases have great influence on the degradation and annealing recovery of functions and parameters of the device.Standby and operating power supply currents are sensitive parameters of the device.Radiation damage in device under the static biases is the most serious. |
|
来源
|
原子能科学技术
,2012,46(4):507-512 【核心库】
|
|
关键词
|
静态随机存储器
;
总剂量效应
;
功耗电流
;
退火效应
|
|
地址
|
中国科学院新疆理化技术研究所, 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 新疆, 乌鲁木齐, 830011
|
|
语种
|
中文 |
|
文献类型
|
研究性论文 |
|
ISSN
|
1000-6931 |
|
学科
|
电子技术、通信技术 |
|
文献收藏号
|
CSCD:4528564
|
参考文献 共
10
共1页
|
|
1.
陆虹. CMOS SRAM抗辐照加固电路设计技术研究.
微处理机,2005(5):6-7
|
被引
3
次
|
|
|
|
|
2.
Kjar R A. Radiation hardened 64-bit CMOS/SOS RAM.
IEEE Trans Nucl Sci,1976,23(6):1728-1729
|
被引
4
次
|
|
|
|
|
3.
Passow R H. Characterization summary for a radiation hardened 16 K×1 SRAM.
IEEE Trans Nucl Sci,1986,33(6):1535-1540
|
被引
1
次
|
|
|
|
|
4.
Lelis A J. Radiation response of advanced commercial SRAMs.
IEEE Trans Nucl Sci,1996,43(6):3103-3108
|
被引
8
次
|
|
|
|
|
5.
Wrobel F. Contribution of SiO_2 in neutron-induced SEU in SRAMs.
IEEE Trans Nucl Sci,2003,50(6):2055-2059
|
被引
7
次
|
|
|
|
|
6.
Baggio J. Analysis of proton/neutron SEU sensitivity of commercial SRAMs: Application to the terrestrial environment test method.
IEEE Trans Nucl Sci,2004,51(6):3420-3426
|
被引
7
次
|
|
|
|
|
7.
贺朝会. 大规模集成电路总剂量效应测试方法初探.
物理学报,2004,53(1):194-199
|
被引
16
次
|
|
|
|
|
8.
余学峰. 4000 系列CMOS器件的电离辐射感生漏电流.
核技术,1997,20(1):24-28
|
被引
6
次
|
|
|
|
|
9.
贺朝会. 重离子单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究.
核电子学与探测技术,2002,22(3):228-230
|
被引
2
次
|
|
|
|
|
10.
李豫东. SRAM、ROM的总剂量辐射效应及损伤分析.
光学精密工程,2009,17(4):787-793
|
被引
5
次
|
|
|
|
|
|
了解气象卫星更多信息，请访问