文摘
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利用二次离子质谱(SIMS)并结合X-射线衍射分析(XRD)研究了AlN陶瓷基板在850-1100℃空气中退火时的初始氧化行为。结果表明, 未退火AlN陶瓷基板表面区存在很薄的富氧层。在退火10min的条件下, 随着退火温度的增加, 富氧层迅速增厚。在1100℃退火20min的条件下, AlN陶瓷基板表面区有连续的氧化层生成。最后, 结合化学热力学, 探讨了AlN陶瓷基板表面的初始氧化机理。 |
来源
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硅酸盐学报
,1998,26(5):565 【核心库】
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关键词
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氮化铝
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陶瓷
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热氧化
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二次离子质谱
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地址
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中科院半导体所, 表面物理国家重点实验室, 北京
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语种
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中文 |
文献类型
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研究性论文 |
ISSN
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0454-5648 |
学科
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化学工业 |
基金
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国家自然科学基金
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文献收藏号
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CSCD:438764
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