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AlN陶瓷基板在空气中的热氧化行为探讨

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文摘 利用二次离子质谱(SIMS)并结合X-射线衍射分析(XRD)研究了AlN陶瓷基板在850-1100℃空气中退火时的初始氧化行为。结果表明, 未退火AlN陶瓷基板表面区存在很薄的富氧层。在退火10min的条件下, 随着退火温度的增加, 富氧层迅速增厚。在1100℃退火20min的条件下, AlN陶瓷基板表面区有连续的氧化层生成。最后, 结合化学热力学, 探讨了AlN陶瓷基板表面的初始氧化机理。
来源 硅酸盐学报 ,1998,26(5):565 【核心库】
关键词 氮化铝 ; 陶瓷 ; 热氧化 ; 二次离子质谱
地址

中科院半导体所, 表面物理国家重点实验室, 北京

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0454-5648
学科 化学工业
基金 国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:438764

参考文献 共 1 共1页

1.  谢进. 博,1995 被引 3    
引证文献 1

1 卜景龙 金属-氮化物结合刚玉质滑板抗渣性研究 硅酸盐学报,2005,33(2):253-257
被引 2

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