铒、氧共注a-Si:H和a-SiCx:H的1.54μm光致发光

薛俊明 ¹ 周伟 ² 孙钟林 ¹

文摘	在a-Si:H和a-SiCx:H中共注稀土铒和氧。300 ℃和400 ℃热退火后,测得了来自发光中心Er~(3+)内层4f电子跃迁的1.54 μm光致发光。400 ℃是较好的退火温度。随着碳含量的增加,发光强度逐渐减弱,这可能是由于碳的引入减弱了间隙氧退火时的迁移能力所致。
来源	光电子·激光 ,1998,9(4):301 【核心库】
关键词	a-Si:H ; a-SiCx:H ; 铒 ; 氧 ; 离子注入 ; 光致发光
地址	1. 南开大学光电子所, 天津 2. 中科院半导体所, 北京
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	1005-0086
学科	电子技术、通信技术
基金	材料科学与工程重点实验室基金 ; 光电信息技术科学教育部重点实验室资助项目
文献收藏号	CSCD:437481

参考文献共 2 共1页

	1. 王启明. 提高Si基材料高效率发光途径的探索. 物理学进展,1996,16:75	被引 13 次
	2. Michel J. J Appl Phys,1991,70:2672	被引 13 次

引证文献 1 篇

1 薛俊明 a-SiCx∶H和β-SiC中Er缺陷结构及其1.54μm发光探索电子学报,2000,28(8):135
被引 0 次

论文科学数据集

PlumX Metrics

相关文献
作者相关关键词相关参考文献相关

返回检索结果