GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性

王杏华李国华李承芳李月霞程文超宋爱民刘剑王志明

文摘	采用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺，将GaAs/AlGaAs量子阱外延材料制成量子点阵，其光荧光谱显示出蓝移，并且蓝移量随着量子点直径尺寸的减少而增大。
来源	发光学报 ,1998,19(3):202 【核心库】
关键词	GaAs/AlGaAs ; 量子点 ; 光荧光
地址	中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	1000-7032
学科	物理学
文献收藏号	CSCD:432467

参考文献共 2 共1页

	1. Chao P C. IEEE Trans Electron Devices,1989,36:461	被引 2 次
	2. 成步文. a-Si/SiO↓2多量子阱材料制备及其晶化和发光. 发光学报,1997,18:217	被引 6 次

引证文献 1 篇

1 王杏华 Application of Wet Chemical Etching in Fabrication Process of GaAs/AlGaAs Quantum Dot Arrays 半导体学报,2000,21(1):22
被引 0 次

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