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双极线性稳压器电离辐射剂量率效应及其损伤分析
Degradation and dose rate effects of bipolar linear regulator on ionizing radiation

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文摘 为了对双极线性稳压器在电离辐射环境下损伤变化特征及其剂量率效应进行研究,选择一组器件进行~(60)Coγ高低剂量率的辐照和退火试验.结果表明线性稳压器的输出电压、最大负载电流、线性调整率、压降电压等多个关键参数都有不同程度的蜕变.且各器件在高低剂量率下的辐照响应略有不同,表现出不同的剂量率效应.文中通过多种形式的测试结果分析,系统地讨论了各参数变化的原因及其内部各模块对稳压器功能的影响.结合电离损伤退火特性,探讨了各剂量率效应形成的原因.这不但对工程应用考核提供了参考,而且为设计抗辐射加固器件提供了指导.
其他语种文摘 In order to investigate the dose rate effects and the radiation response of the voltage regulator,a group of bipolar linear regulators are irradiated by~(60)Coγat high and low dose rate.The results show that many of the parameters of the regulator,such as the max drive current,the output voltage,the line regulation and the dropout voltage,are sensitive to ionizing irradiation.Compared the radiation responses of the devices between high and low dose rate,the dose-rate effect is found to be dependent on device.The reasons for the degradation are discussed by combining the radiation response of the transistor and the amplifier with the circuit characteristic of the linear regulator.The dose rate effects are also analyzed from the annealing characteristics.So this is not only useful for their applicalion in space,but also helpful for the design of radiation hardness device.
来源 物理学报 ,2011,60(9):096104-1-096104-9 【核心库】
DOI 10.7498/aps.60.096104
关键词 双极线性稳压器 ; 总剂量效应 ; 剂量率效应 ; 辐射损伤
地址

中国科学院新疆理化技术研究所, 中国科学院新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐, 830011

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 1000-3290
学科 能源与动力工程
基金 国家自然科学基金资助的课题
文献收藏号 CSCD:4313656

参考文献 共 23 共2页

1.  Nowlin R N. IEEE Trans.Nucl.Sci,1993,40:1686 被引 11    
2.  郑玉展. 不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性. 物理学报,2009,58:5572 被引 18    
3.  翟亚红. 物理学报,2011:60 被引 1    
4.  Johnston A H. IEEE Trans.Nucl. Sci,1994,41:2427 被引 18    
5.  陆妩. CMOS运算放大器的电子和^60Coγ辐照效应及退火特性. 固体电子学研究与进展,1998,18:323 被引 7    
6.  郑玉展. 正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤. 核技术,2010,33:357 被引 1    
7.  Abare W. 2002 IEEE Radiation Effects Data Workshop Record Phoenix,2002:177 被引 2    
8.  Ramachandran V. IEEE Trans.Nucl.Sci,2006,53:3223 被引 8    
9.  Adell P C. IEEE Trans.Nucl.Sci,2004,51:3816 被引 8    
10.  Beacour J T. IEEE Trans. Nucl.Sci,1994,41:2420 被引 8    
11.  Pease R L. IEEE Trans.Nucl.Sci,1998,45:2571 被引 6    
12.  Fleetwood D M. IEEE Trans.Nucl.Sci,1996,43:2537 被引 16    
13.  Witczak S C. IEEE Trans.Nucl.Sci,1998,45:2339 被引 26    
14.  Fleetwood D M. IEEE Trans.Nucl.Sci,1994,41:1871 被引 59    
15.  Rashkeev S C. IEEE Trans. Nucl.Sci,2002,49:2650 被引 68    
16.  . ON Semiconductor,Linear&Switching Voltage Regulator Handbook 4th ed.2002 被引 1    
17.  童诗白. 模拟电子技术基础,2003:523 被引 4    
18.  王义元. 三端稳压器的总剂量效应. 核技术,2010,33:465 被引 3    
19.  Freitag R K. IEEE Trans.Nucl.Sci,1997,44:1906 被引 10    
20.  李瑞珉. MOSFET辐照诱生界面陷阱形成过程的1/f噪声研究. 物理学报,2007,56:3400 被引 15    
引证文献 9

1 席善斌 栅控横向PNP双极晶体管辐照感生电荷的定量分离 物理学报,2012,61(23):236103-1-236103-7
被引 5

2 孙江超 国产线性稳压器电离总剂量效应及损伤研究 微电子学,2013,43(5):719-722
被引 0 次

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