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文摘
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利用相调制型光谱椭偏仪研究了光刻胶光学常数的测量方法，针对测量过程中光刻胶曝光控制优化了测量方案和仪器参数。对常见的S9912正型光刻胶，给出了曝光前后275~ 650 nm波段的光学常数。并采用动态椭偏法测量了所需波长下曝光前的光学常数。实验结果表明:该测量方法适用于光刻胶在紫外-可见-红外宽波段的光学性质研究，在光刻模拟、新型光刻胶材料研制及其光学性质表征等领域有重要实用价值 |
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其他语种文摘
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By means of phase-modulated ellipsometer,the method for measuring optical constants of photoresist is described.The test scheme and instrument parameters for testing process of photoresist are optimized.For commonly used positive S9912 photoresist,the optical constants for 275 - 650 nm before/after the exposure are measured,and the dynamic ellipsometry is used to obtain the values before the exposure at wavelengths of interest.The experimental results indicate:the method provided is applicable for the research of photoresist in UV-VIS-NIR spectral range and may find important application in the optical lithography simulation,the development and characterization of new-type photoresist materials. |
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来源
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计量学报
,2011,32(4):381-384 【核心库】
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DOI
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10.3969/j.issn.1000-1158.2011.04.20
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关键词
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计量学
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光刻胶
;
曝光
;
光学常数
;
光谱椭偏法
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地址
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1.
中国计量科学研究院, 北京, 100013
2.
中国科学院半导体研究所, 中国科学院纳米光电子实验室, 北京, 100083
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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1000-1158 |
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学科
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一般工业技术 |
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基金
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国家自然科学基金
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中国计量科学研究院基本科研业务费
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文献收藏号
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CSCD:4305268
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被引
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被引
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