X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs势光晶片的亚表面损伤层厚度

曹福年卜俊鹏吴让元郑红军惠峰白玉珂刘明焦何宏家

文摘	通过测量SI-GaAs抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层)的X射线回摆曲线FWHM,与抛光晶片的TEM观测相结合，作出晶片回摆曲线FWHM的比率R与TEM观测的晶征亚表面损伤层厚度D的关系曲线，建立了一种定量检测SI-GaAa抛光晶片的片表面损伤层厚度技术，文中将对这种技术进行描述并作讨论。
来源	半导体学报 ,1998,19(8):635 【核心库】
关键词	X射线回摆曲线定量 ; SI-GaAs热光晶片 ; 亚表面损伤层厚度
地址	中科院半导体所, 北京
语种	中文
文献类型	简报
ISSN	0253-4177
学科	电子技术、通信技术
文献收藏号	CSCD:423682

参考文献共 2 共1页

	1. 曹福年. 砷化镓及有关化合物会议论文集,1997:45	被引 1 次
	2. 何宏家. 砷化镓及有关化合物会议论文集,1993:136	被引 1 次

引证文献 5 篇

1 郑红军 GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析固体电子学研究与进展,1999,19(1):111
被引 1 次

2 俊鹏超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺半导体学报,2003,24(4):445-448
被引 0 次

论文科学数据集

PlumX Metrics

相关文献
作者相关关键词相关参考文献相关

返回检索结果