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GaAs/AlAs脊形量子线的光学研究

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文摘 利用分子束外延技术,在GaAs两个(113)晶面的脊形交接处制备了量子线。在低温PL谱上,观测到量子线的发光峰。通过微区、变温和偏振的发光测量,证实了量子限制效就和一维量子线在上述结构中的存在。
来源 半导体学报 ,1998,19(8):631 【核心库】
关键词 GaAs/AlAs脊形量子线 ; 光学
地址

中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京

语种 中文
文献类型 简报
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
文献收藏号 CSCD:423681

参考文献 共 2 共1页

1.  牛智川. GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究. 半导体学报,1996,17:227 被引 8    
2.  夏建白. 半导体学报,1987,8:563 被引 6    
引证文献 1

1 牛智川 可用于器件的侧墙GaAs量子线列阵结构 半导体学报,1999,20(4):309
被引 1

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牛智川 0000-0002-9566-6635
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