InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器

王健华 ¹ 金峰 ¹ 俞谦 ¹ 孙可 ¹ 李德杰 ¹ 蔡丽红 ² 黄绮 ² 周钧铭 ² 王玉田 ³ 庄岩 ³

文摘	用国产MBE设备生长出与InP衬底晶格匹配的InGaAs/InAlAs多量子阱材料，并对材料的量子限制Stark效应及其与光偏振方向有关的各向异性电吸收特性进行研究。用该种材料制作的脊波导结构电吸收调制器在2.4V驱动电压下实现了20dB以上消光比，光3dB带宽达3GHz。
来源	半导体学报 ,1998,19(1):43 【核心库】
关键词	InGaAs/InAlAs多量子阱 ; 电吸收光调制器
地址	1. 清华大学电子工程系, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京 2. 中科院物理所, 北京 3. 中科院半导体所, 北京
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	0253-4177
学科	电子技术、通信技术
基金	国家863计划 ; 国家自然科学基金
文献收藏号	CSCD:423677

参考文献共 1 共1页

1. 司伟民. Ⅲ-V族化合物半导体量子阱光调制器. 通信学报,1992,13(4):55

被引 2 次

引证文献 1 篇

1 周剑英 GaAlAs/GaAs量子阱行波Mach-Zehnder光调制器电极传输线的微波响应半导体学报,2003,24(11):1206-1210
被引 0 次

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