选择腐蚀确定垂直腔面发射激光器生长偏差对模式波长的影响

张益潘钟杜云陈志标郑联喜吴荣汉

文摘	提出一种可在垂直腔面发射激光器外延生长后准确确定其模式生长偏差的简便方法。利用选择性湿法腐蚀，分别测出器件各主要部分的微区光反射谱，通对模拟计算得到这些部分的厚度偏差及其对模式波长偏移的影响，使调整后再生长的器件模式位置大为改善，并为器件后期制备的模式调节提供了可靠的依据。
来源	半导体学报 ,1998,19(1):76 【核心库】
关键词	腐蚀 ; 垂直腔面发射激光器 ; 生长偏差 ; 模式波长
地址	中科院半导体所, 北京
语种	中文
文献类型	简报
ISSN	0253-4177
学科	电子技术、通信技术
文献收藏号	CSCD:423659

参考文献共 4 共1页

	1. 潘钟. LEOS’96,1996	被引 1 次
	2. Li G S. IEEE Photonics Technol Lett,1996,7(9):971	被引 1 次
	3. Hou H Q. IEEE Photonics Technol Lett,1996,8(10):1285	被引 1 次
	4. 陈志标. 非对称长法布里-伯里腔光调制特性分析及高对比度GaAs/AlGaAs调制器. 半导体学报,1996,17(12):891	被引 8 次

引证文献 3 篇

1 赵红东量子阱垂直腔面发射激光器及其微腔物理激光与光电子学进展,2001(4):19
被引 1 次

2 Yue Aiwen High Slope Efficiency and High Power 850nm Oxide-Confined Vertical Cavity Surface Emitting Lasers 半导体学报,2003,24(7):693-696
被引 1 次

论文科学数据集

PlumX Metrics

相关文献
作者相关关键词相关参考文献相关

返回检索结果