文摘
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该文研究了MBE通常生长条件和氢原子辅助生长条件下(100)、(331)、(210)、(311)等表面外延形貌的变化。 |
来源
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半导体学报
,1998,19(5):327 【核心库】
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关键词
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氢原子辅助
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MBE生长
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GaAs
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表面外延形貌
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地址
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1.
Paul-Drude-Institut for Solid State Electronics, 德国
2.
中科院半导体所, 北京
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语种
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中文 |
文献类型
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研究性论文 |
ISSN
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0253-4177 |
学科
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电子技术、通信技术 |
文献收藏号
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CSCD:423631
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