帮助 关于我们

返回检索结果

氢原子辅助MBE生长对GaAs外延面形貌的影响

查看参考文献3篇

文摘 该文研究了MBE通常生长条件和氢原子辅助生长条件下(100)、(331)、(210)、(311)等表面外延形貌的变化。
来源 半导体学报 ,1998,19(5):327 【核心库】
关键词 氢原子辅助 ; MBE生长 ; GaAs ; 表面外延形貌
地址

1. Paul-Drude-Institut for Solid State Electronics, 德国  

2. 中科院半导体所, 北京

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
文献收藏号 CSCD:423631

参考文献 共 3 共1页

1.  Kapon E. Appl Phys Lett,1987,50:347 被引 1    
2.  Takeuchi M. J Cryst Growth,1995,150:441 被引 1    
3.  牛智川. GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究. 半导体学报,1996,17(3):227 被引 8    
引证文献 1

1 林秀华 GaAs红外发光管芯片的表面性质 厦门大学学报. 自然科学版,1999,38(5):682
被引 0 次

显示所有1篇文献

论文科学数据集
PlumX Metrics
相关文献

 作者相关
 关键词相关
 参考文献相关

iAuthor 链接
牛智川 0000-0002-9566-6635
版权所有 ©2008 中国科学院文献情报中心 制作维护:中国科学院文献情报中心
地址:北京中关村北四环西路33号 邮政编码:100190 联系电话:(010)82627496 E-mail:cscd@mail.las.ac.cn 京ICP备05002861号-4 | 京公网安备11010802043238号