|
半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量
查看参考文献4篇
文摘
|
利用X射线双晶衍射Bond方法,精确测量了各种条件下生长的半绝缘GaAs的晶格参数。建立了过量As在晶体中存在的间隙原子对模型,在理论上找到了影响半绝缘GaAs晶格参数的根本原因。并建立了半绝缘GaAs晶格参数与化学配比的关系,实现了化学配比的无损测量。这对于GaAs单晶的制备和相关光电子器件的研究具有重要意义。 |
来源
|
半导体学报
,1998,19(4):267 【核心库】
|
关键词
|
半绝缘GaAs
;
单晶化学配比
;
X射线双晶衍射
;
Bond方法
|
地址
|
中科院半导体所, 北京
|
语种
|
中文 |
文献类型
|
研究性论文 |
ISSN
|
0253-4177 |
学科
|
电子技术、通信技术 |
文献收藏号
|
CSCD:423621
|
参考文献 共
4
共1页
|
|
|