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气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究
查看参考文献5篇
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文摘
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用气态源分子束外延(GSMBE)法研究了Ge_xSi_(1-x)合金的低温(≤500℃)生长动力学问题，所使用的源分别是乙硅烷和固态锗。在恒定的乙硅烷流量(4sccm)Ge源炉温度(1200℃)下，合金中的Ge组分x随衬底温度的降低而升高；另一方面，当衬底温度(500℃)和乙硅烷流度升高到一定值以上时，x值不再随Ge源炉温度的升高而增大,而趋向于饱和在0.45附近。基于乙硅烷及H原子在Si原子和Ge原子表面上不同的吸附和脱附过程，定性地解释了上述生长动力学现象。 |
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来源
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半导体学报
,1998,19(5):389 【核心库】
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关键词
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气态源分子束外延
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GeSi合金
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低温生长动力学
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地址
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中科院半导体所, 北京
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语种
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中文 |
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文献类型
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简报 |
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ISSN
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0253-4177 |
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学科
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电子技术、通信技术 |
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基金
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国家“八五”项目
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文献收藏号
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CSCD:423618
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参考文献 共
5
共1页
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1.
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