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InAs薄膜Hall器件的材料生长与特性研究

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文摘 报道了利用InAs外延薄膜制作霍尔器件，通过分子束外延技术在GaAs衬底上生长的InAs薄膜具有较高的迁移率和较好的温度特性。用这种材料制作的霍尔器件在每千欧姆内阻条件下灵敏度与GaAs平面Hall器件相比提高了50%。
来源 半导体学报 ,1998,19(6):413 【核心库】
关键词 InAs薄膜 ; Hall器件 ; 材料生长
地址

中科院半导体所, 北京

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
文献收藏号 CSCD:423599

参考文献 共 3 共1页

1.  庄岩. MBE InGaAs/GaAs外延层晶胞弛豫直接测量的X射线双晶衍射方法. 半导体学报,1997,18(7):508 被引 2 次    
2.  王红梅. J Cryst Growth,1997,179(3/4):658 被引 1 次    
3.  郑一阳. 半导体学报,1985,6:413 被引 2 次    
引证文献 1 篇

1 高莹 室温下金属铝膜的霍尔效应初步研究 北京化工大学学报. 自然科学版,2012,39(2):114-117
被引 1 次

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