文摘
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利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了一系列InAs自组织生长的量子点超晶格样品,确认样品中存在体GaAs缺陷能级EL2和InAs量子点电子基态能级。测得1.7和2.5原子层InAs量子点电子基态能级相对于GaAs的导带底分别为100meV和210meV,量子点电子基态的俘获热垒分别为0.48eV和0.30eV。 |
来源
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半导体学报
,1998,19(6):401 【核心库】
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关键词
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InAs自组织生长
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量子点
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超晶格
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电学
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地址
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1.
中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京
2.
北京师范大学物理系, 北京
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语种
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中文 |
文献类型
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研究性论文 |
ISSN
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0253-4177 |
学科
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电子技术、通信技术 |
基金
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国家攀登计划项目
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国家自然科学基金
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文献收藏号
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CSCD:423597
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