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GaAs/AlAs超晶格室温下的输运机制及自维持场畴振荡
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文摘
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在GaAs/AlAs(10nm/2n,)弱耦合掺杂超晶格I-V曲线的第一个平台上，首先观测到了直流偏压下的室温微波振荡。观测到的最高振荡频率可达142MHz。这种由级联隧穿引起的振荡在测试温度范围14～300K内始终存在。经 分析发现，由于垒怪公有2nm,电子隧穿通过垒层的几率很高，相比之下，电子越过势垒而产生的热离子发射电流要小得多。在温度低于300K时，超晶格内的纵向输运机制是级联共振隧穿和声子辅助隧穿。这是室温仍然能观测到自维持振荡的主要原因，由于实现振荡所施加的偏压比较低(在室温下偏压范围大约为0.5～2V),有利于抑制室温下通过X谷的热离子发射电流。 |
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来源
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半导体学报
,1998,19(10):788 【核心库】
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关键词
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GaAs/AlAs超晶格
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输运机制
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自维持场畴振荡
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地址
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中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京
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语种
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中文 |
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文献类型
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简报 |
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ISSN
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0253-4177 |
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学科
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电子技术、通信技术 |
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文献收藏号
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CSCD:423539
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参考文献 共
7
共1页
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1.
孙宝权.
Appl Phys Lett,1996,69:520
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被引
3
次
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2.
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Semiconduct Sci Technol,1997,12:401
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被引
1
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被引
2
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Mendez E E.
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被引
2
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被引
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3
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Tsu R.
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被引
1
次
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