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不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响
Radiation effect of doping and bias conditions on NPN bipolar junction transistors

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席善斌 1   王志宽 2   陆妩 1 *   王义元 1   许发月 1   周东 1   李明 1   王飞 1   杨永晖 2  
文摘 对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同偏置条件下进行60Co-γ辐照效应和退火特性研究.结果显示:基区掺杂浓度不同,NPN双极晶体管辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤要明显大于高基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤;偏置条件不同,晶体管辐照响应也有很大差别,反向偏置辐照NPN晶体管参数退化较正向偏置严重.并对对实验现象的相关机理进行了分析
其他语种文摘 In this paper,we investigate 60Co γ-ray irradiation effects and annealing behaviors of NPN bipolar junction transistors of the same manufacturing technology but different doping concentrations. The transistors of different doping concentrations differ in responses of the radiation effect. More degradation was observed with the transistors of low concentration-doped NPN transistors than the high concentration-doped NPN transistors. The results also demonstrate that reverse-biased transistors are more sensitive to radiation than the forward-biased ones. Mechanisms of the radiation responses are analyzed
来源 核技术 ,2011,34(3):205-208 【核心库】
关键词 NPN双极晶体管 ; 60Co-γ辐照 ; 基区掺杂浓度 ; 辐照偏置
地址

1. 中国科学院新疆理化技术研究所, 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐, 830011  

2. 模拟集成电路国家重点实验室, 模拟集成电路国家重点实验室, 重庆, 400060

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-3219
学科 电子技术、通信技术
基金 国家自然科学基金项目
文献收藏号 CSCD:4164234

参考文献 共 13 共1页

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12.  陆妩. 工艺条件对双极晶体管低剂量率辐射损伤增强效应的影响. 原子能科学技术,2010,44(1):114-120 被引 5    
13.  费武雄. 不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响. 核技术,2010,23(4):274-277 被引 3    
引证文献 1

1 张希军 不同特征频率高频硅双极晶体管静电放电机器模型敏感特性 高电压技术,2015,41(5):1631-1636
被引 3

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