不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响
Radiation effect of doping and bias conditions on NPN bipolar junction transistors
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文摘
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对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同偏置条件下进行60Co-γ辐照效应和退火特性研究.结果显示:基区掺杂浓度不同,NPN双极晶体管辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤要明显大于高基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤;偏置条件不同,晶体管辐照响应也有很大差别,反向偏置辐照NPN晶体管参数退化较正向偏置严重.并对对实验现象的相关机理进行了分析 |
其他语种文摘
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In this paper,we investigate 60Co γ-ray irradiation effects and annealing behaviors of NPN bipolar junction transistors of the same manufacturing technology but different doping concentrations. The transistors of different doping concentrations differ in responses of the radiation effect. More degradation was observed with the transistors of low concentration-doped NPN transistors than the high concentration-doped NPN transistors. The results also demonstrate that reverse-biased transistors are more sensitive to radiation than the forward-biased ones. Mechanisms of the radiation responses are analyzed |
来源
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核技术
,2011,34(3):205-208 【核心库】
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关键词
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NPN双极晶体管
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60Co-γ辐照
;
基区掺杂浓度
;
辐照偏置
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地址
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1.
中国科学院新疆理化技术研究所, 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐, 830011
2.
模拟集成电路国家重点实验室, 模拟集成电路国家重点实验室, 重庆, 400060
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语种
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中文 |
文献类型
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研究性论文 |
ISSN
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0253-3219 |
学科
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电子技术、通信技术 |
基金
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国家自然科学基金项目
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文献收藏号
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CSCD:4164234
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参考文献 共
13
共1页
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1.
Enlow E W.
IEEE Trans Nucl Sci,1991,38(6):1342-1351
|
被引
58
次
|
|
|
|
2.
Graves R J.
IEEE Trans Nucl Sci,1998,45(6):2352-2360
|
被引
22
次
|
|
|
|
3.
Fleetfood D M.
IEEE Trans Nucl Sci,1994,41(6):1871-1883
|
被引
1
次
|
|
|
|
4.
Hlajamarson H P.
IEEE Trans Nucl Sci,2003,50(6):1901-1909
|
被引
1
次
|
|
|
|
5.
Schmidt D M.
IEEE Trans Nucl Sci,1991,42(6):1541-1549
|
被引
1
次
|
|
|
|
6.
Pershenkov V S.
IEEE Trans Nucl Sci,1997,44(6):1840-1849
|
被引
37
次
|
|
|
|
7.
Witczak S C.
IEEE Trans Nucl Sci,1998,45(6):2339-2352
|
被引
26
次
|
|
|
|
8.
Nowlin R N.
IEEE Trans Nucl Sci,1993,40(6):1686-1693
|
被引
11
次
|
|
|
|
9.
Rashkeev S N.
IEEE Trans Nucl Sci,2002,49(6):2650-2655
|
被引
68
次
|
|
|
|
10.
陆妩. 双极晶体管不同剂量率的辐射效应和退火特性.
核技术,2005,28(12):925-928
|
被引
11
次
|
|
|
|
11.
张华林. 双极晶体管的低剂量率电离辐射效应.
半导体学报,2004,25(12):1675-1679
|
被引
9
次
|
|
|
|
12.
陆妩. 工艺条件对双极晶体管低剂量率辐射损伤增强效应的影响.
原子能科学技术,2010,44(1):114-120
|
被引
5
次
|
|
|
|
13.
费武雄. 不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响.
核技术,2010,23(4):274-277
|
被引
3
次
|
|
|
|
|