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垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术
Fabrication of Vertical GaN-Based LEDs with Oblique Side Walls Structure

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黄亚军刘志强伊晓燕王良臣王军喜李晋闽

文摘	为了提升垂直结构LED提取效率,针对器件侧壁出光的研究越发引起研究人员的关注.由于GaN的高折射率,大部分有源区发出的光线将被限制在GaN层内横向传输.对不同刻蚀倾角侧面的光提取效率进行分析模拟,模拟结果显示,LED的提取效率可以通过侧壁倾斜角度的优化得以提升.实验结果表明,特定侧壁倾角器件的提取效率相比较垂直侧壁提高了18.75%,电致发光光谱测试(EL)结果表明,实验结论与理论计算值基本吻合.本结论对垂直结构GaN基LED器件的优化设计与性能提升有重要指导意义
其他语种文摘	In order to improve the extraction efficiency of vertical structure LEDs, more and more attention has been paid on the light extraction from sidewalls. Because of the high refractive index of GaN, most light was trapped in the active layer in rectangular LEDs. Simulation and experiment results show that the extraction efficiency of LEDs can be improved by varying the angle of side walls. The vertical LEDs with oblique side walls were fabricated and the extraction efficiency was improved by 18.75%
来源	半导体技术 ,2011,36(3):206-209 【扩展库】
关键词	GaN ; 垂直结构LED ; 提取效率 ; 双层掩膜 ; 刻蚀
地址	中科院半导体所照明研发中心, 北京, 100083
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	1003-353X
学科	电子技术、通信技术
文献收藏号	CSCD:4158026

参考文献共 4 共1页

	1. HSU J T. Beveled sidewall formation and its effect on the light output of a GaInN multiquantum well light emitting diode with sapphire substrate. Optical Engineering,2005,44(11):111304	被引 1 次
	2. NAKAMURA S. Candela-class highbrightness InGaN/AlGaN double-hetero structure bluelight-emitting diodes. Appl Phys Lett,1994,64(13):1687-1689	被引 247 次
	3. WIERER J J. High-power AlGaInN flip-chip light-emitting diodes. Appl Phys Lett,2001,78(22):3379-3381	被引 37 次
	4. CHOI H W. Mechanism of enhanced light ouput efficiency in InGaN-based microlight emitting diodes. Journal of Applied Physics,2003,93(10):5978-5982	被引 6 次

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黄亚军 0000-0002-7979-6413 李晋闽 0000-0002-0900-2497

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