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单片集成电吸收调制分布反馈激光器
Monolithically integrated and electro-absorption modulated DFB lasers

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文摘 提出一种选择区域外延双有源区叠层(SAG-DSAL)结构新技术,基于此技术设计研制了单片集成电吸收调制激光器(EML),SAG-DSAL-EML管芯的阈值电流为20 mA,工作电流为100 mA时的出光功率为10 mW,由吸收调制器(EAM)加-3 V偏压时的消光比为12 dB,实现了简化制作工艺并提高器件性能的预期目的,有望用于规模化生产
其他语种文摘 It is desirable to simplify process, lower cost and improve characteristics of the integrated optoelectronic functional devices. A novel technique named as selective area growth double stacked active layer(SAG-DSAL) was introduced. A monolithically integrated and electro-absorption modulated distributed feedback laser was developed with this technique. The SAG-DSAL electro-absorption modulated laser(EML) chip′s threshold current is 20 mA, optical output power is 10 mW at an injection current of 100 mA, and the extinction ratio is 12 dB when the bias voltage on the modulator is-3 V.It′s expected to use this technique for mass production
来源 光电子·激光 ,2011,22(1):13-15 【核心库】
关键词 选择区域生长(SAG) ; 双有源区叠层(DSAL) ; 电吸收调制激光器(EML)
地址

中国科学院半导体研究所, 中国科学院半导体材料科学开放实验室, 北京, 100083

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 1005-0086
学科 电子技术、通信技术
基金 国家863计划 ;  国家自然科学基金资助项目 ;  国家973计划
文献收藏号 CSCD:4123464

参考文献 共 9 共1页

1.  冯巍巍. 隔离电阻对集成光源特性的影响分析. 光电子.激光,2005,16(5):519-522 被引 1    
2.  李智勇. 电吸收调制激光器产生短光脉冲的实验研究. 光电子.激光,2004,15(1):13-17 被引 4    
3.  Cheng Yuan Bing. 40-Gb/s Low Chirp Electroabsorption Modulator Integrated with DFB Laser. IEEE Photonics Technology Letters,2009,21(6):356-358 被引 7    
4.  Deshours F. A40Gbps electro-absorption modulator integrated laser modeling method for optical transmitter in ultra-wide band radio-over-fiber systems. International Journal of Microwave and Wireless Technologies,2009,1:511-519 被引 2    
5.  Lim C G. Electro-absorption modulator integrated lasers with enhanced signal injection efficiency. Journal of Lightwave Technology,2008,26(6):685-691 被引 1    
6.  Takeuchi H. Very high-speed lightsource up to40Gb/s containing an MQW electroabsorption modulator integrated with a DFB laser. IEEE J Sel. Topics Quantum Electron,1997,3(2):336-343 被引 8    
7.  Aoki M. InGaAs/InGaAsP MQW electroabsorption modulator integrated with a DFB laser fabricated by band-gap energy control selective area MOCVD. IEEE J Quantum Electron,1993,29(6):2088-2096 被引 9    
8.  Stegmuller B. 15GHz modulation performance of integrated a DFB laser diode EA modulator with identical multiple-quantum-well double-stack active layer. IEEE Photonics Technology Letters,2002,14(12):1647-1649 被引 1    
9.  胡小华. 电吸收调制器和DFB激光器一种改进的双有源层堆积集成方法. 半导体学报,2004,25(5):481-485 被引 1    
引证文献 4

1 赵鹤玲 Bi离子掺杂GeO_2-Nb_2O_5-X玻璃的近红外宽带发光特性研究 光电子·激光,2012,23(1):106-110
被引 2

2 钟东洲 掺氧化镁铌酸锂晶体中高强度近红外飞秒激光脉冲线性电光效应 激光与光电子学进展,2012,49(7):072502-1-072502-8
被引 0 次

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