Si(001)衬底上分子束外延生长Ge_(0.975)Sn_(0.025)合金薄膜
Epitaxial growth of Ge_(0.975)Sn_(0.025) alloy films on Si(001)substrates by molecular beam epitaxy
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文摘
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使用低、高温两步法生长的高质量Ge薄膜作为缓冲层, 在Si(001)衬底上采用分子束外延法生长出Ge_(0.975) Sn_(0.025)合金薄膜.X射线双晶衍射和卢瑟福背散射谱等测试结果表明, Ge_(0.975)Sn_(0.025)合金薄膜具有很好的晶体质量, 并且没有发生Sn表面分凝.另外, Ge_(0.975)_Sn_(0.025)合金薄膜在500℃下具有很好的热稳定性, 有望在Si基光电器件中得到应用 |
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其他语种文摘
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Ge_(0.975)Sn_(0.025)alloy films have been grown on Si(001)substrates by molecular beam epitaxy with high-quality Ge films as buffer layers.The alloys have high crystalline quality without Sn surface segregation, determined by double crystal X-ray diffraction and Rutherford backscattering spectra measurement.In addition, the Ge_(0.975)Sn_(0.025)alloy has rather good thermal stability at 500℃, which makes it possible to be used in Si-based optoelectronic devices |
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来源
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物理学报
,2011,60(2):028101-1-028101-5 【核心库】
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DOI
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10.7498/aps.60.028101
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关键词
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GeSn
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Ge
;
分子束外延
;
外延生长
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地址
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中国科学院半导体研究所, 集成光电子学国家重点实验室, 北京, 100083
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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1000-3290 |
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学科
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物理学 |
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基金
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国家973计划
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国家自然科学基金
;
中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目
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文献收藏号
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CSCD:4120476
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参考文献 共
11
共1页
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