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文摘
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采用“不间断生长/退火”技术,并配之以微量硼补偿,制备了高性能的氢化非晶硅薄膜(a-Si:H),其光敏性(σ_(ph)σ_d)达到10~6)量级,并且稳定性得以显著提高,在100mW/cm~2的白光长时间照射后没有观察到衰退现象。分析指出：高的光敏性及稳定性可归因于带隙缺陷态的显著减少和微结构的明显改善。 |
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来源
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中国科学. A辑
, 数学,1997,27(7):653 【核心库】
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关键词
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氢化晶硅薄膜
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不间断生长/退火
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硼补偿
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高光敏性
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高稳定性
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地址
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中科院半导体所, 表面物理国家重点实验室, 北京
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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1006-9232 |
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学科
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物理学 |
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基金
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国家自然科学基金
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文献收藏号
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CSCD:408444
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