980nm InGaAs应变量子阱激光器及组合件

徐遵图 ¹ 徐俊英 ¹ 杨国文 ¹ 张敬明 ¹ 肖建伟 ¹ 陈良惠 ¹ 沈光地 ²

文摘	利用分子束外延技术研制出了高质量InGaAs/GaAs应变量子阱材料及量子阱激光器。脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效率分别为15mA和0.8W/A，线性输出功率大于150mW，基横模输出功率可达100mW。InGaAs应变量子阱激光器和单模光纤进行了耦合，其组合件出纤光功率典型值为40mW，最大值可达60mW，显示出了高的基横模输出功率和高的耦合效率。其组合件在40～60mW下，中心发射波长在977nm,满足了对掺铒光纤高效率泵浦的波长要求，成功地研制出适于掺铒光纤放大器用的应变量子阱激光器。
来源	中国激光 ,1997,24(10):873 【核心库】
关键词	应变层 ; 量子阱 ; 半导体激光器 ; 耦合
地址	1. 中科院半导体所, 北京 2. 北京工业大学, 北京市光电子技术实验室, 北京
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	0258-7025
学科	电子技术、通信技术
文献收藏号	CSCD:407962

参考文献共 1 共1页

1. Choi H K. Appl Phys Lett,1990,57(4):321

被引 4 次

引证文献 2 篇

1 王俊 60%电光效率高功率激光二极管阵列中国激光,2008,35(9):1323-1327
被引 5 次

2 徐小红高功率连续运转二极管列阵激光器半导体技术,2014,39(1):56-59
被引 0 次

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