中国半导体激光器的历次突破与发展 (邀请论文)
Breakthroughs and Developments of Semiconductor Laser in China (Invited Paper)

王启明

文摘	主要从半导体激光器第一、二、三次飞跃详尽介绍分析了中国半导体激光器的重大突破与发展
其他语种文摘	Against the background of the first, second and third leaps in the field of semiconductor lasers, a thorough account and analysis is given on the major breakthroughs and developments of the semiconductor lasers in China
来源	中国激光 ,2010,37(9):2190-2197 【核心库】
DOI	10.3788/cjl20103709.2190
关键词	中国 ; 半导体激光器 ; 突破 ; 发展
地址	中国科学院半导体研究所, 集成光电子国家重点联合实验室, 北京, 100083
语种	中文
文献类型	综述型
ISSN	0258-7025
学科	电子技术、通信技术
文献收藏号	CSCD:4021004

参考文献共 0

引证文献 10 篇

1 乔忠良无吸收模式滤波结构高亮度大功率宽条形半导体激光器中国激光,2011,38(4):0402003-1-0402003-6
被引 4 次

2 赵懿昊大功率宽条分布反馈激光器研究中国激光,2011,38(8):0802005-1-0802005-5
被引 5 次

论文科学数据集

PlumX Metrics

相关文献
作者相关关键词相关

返回检索结果