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InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究

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牛智川 1   周增圻 1   林耀望 1   李新峰 1   张益 1   胡雄伟 1   吕振东 2   袁之良 2   徐仲英 2  
文摘 提出了新型InGaAs/GaAs应变脊形量子线结构.这种应变脊形量子线结合了非平面应变外延层中沿不同晶向能带带隙的变化、非平面生长应变层In组分的变化,以及非平面外延层厚度的变化等三方面共同形的横向量子限制效应的综合作用.在非平面GaAs衬底上用分子束外延生长了侧面取向为(113)的脊形AlAs/InGaAs/AlAs应变量子线.用10K光致荧光谱测试了其发光性质.用Kronig-Penney模型近似计算了这种应变脊形结构所具有的横向量子限制效应,发现其光致荧光谱峰位的测试结果,与计算结果相比,有10meV的"蓝移".认为这一跃迁能量的"蓝移"是上述三方面横向量子限制效应综合作用的结果.
来源 物理学报 ,1997,46(5):969 【核心库】
DOI 10.7498/aps.46.969
关键词 InGaAs/GaAs应变脊形量子线结构 ; 分子束外延非平面生长研究
地址

1. 中科院半导体所, 北京  

2. 中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 1000-3290
学科 物理学
文献收藏号 CSCD:398801

参考文献 共 5 共1页

1.  牛智川. 光学学报,1995,24:212 被引 1 次    
2.  牛智川. Proceedings of ISCS-22,1995 被引 1 次    
3.  牛智川. GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究. 半导体学报,1996,17:227 被引 8 次    
4.  Tsang W S. Appl Phys Lett,1977,30:293 被引 1 次    
5.  牛智川. MBE生长轻掺硅GaAs材料光荧光谱杂质特性研究. 固体电子学研究与进展,1996,16:133 被引 2 次    
引证文献 4 篇

1 牛智川 三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化 半导体学报,1998,19(4):311
被引 0 次

2 牛智川 GaAs均匀点状结构的分子束外延图形生长 物理学报,1998,47(8):1346
被引 0 次

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牛智川 0000-0002-9566-6635
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