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正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤
Radiation damage to working or zero-biased JFET-input operational amplifiers

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文摘 对处于正常工作和零偏置状态的JFET输入运算放大器, 进行了高低剂量率辐射试验. 结果表明, 工作状态影响JFET运放电路的辐射效应和辐射损伤. 正常工作状态下, JFET输入运算放大器表现出时间相关效应, 而零偏置状态下则具有低剂量率损伤增强效应. 高剂量率或低剂量率辐射情况下, 正常工作的JFET输入运放电路参数退化大于或小于零偏置状态. 高剂量率辐射会在JFET输入运放的基本单元双极晶体管产生氧化物正电荷和界面陷阱. 从氧化物正电荷和界面态与工作状态的关系方面, 对JFET运放电路的退化行为进行了解释.
其他语种文摘 High-or low-dose-rate irradiation was performed on JFET-input operational amplifiers(op-amps)under normal operating or zero-biased conditions. The results show that operational conditions have a great influence on the radiation effects and damage to JFET-input operational amplifiers. Under normal condition, the JFET-input op-amps exhibited time-dependent effect(TDE);while they show enhanced low-dose-rate sensitivity(ELDRS)at zero-biased condition. Compared with zero-biased condition, the JFET-input op-amps degrade more severely at normal condition for high-dose-rate irradiation;while for the low-dose-rate case, they degraded more at normal condition. Irradiation would induce positive oxide-trapped charge and interface traps in bipolar transistors, which are the basic components in JFET-input op-amps. From the dependence of oxide trapped charge and interface traps on operational conditions, the degradation behavior is discussed.
来源 核技术 ,2010,33(5):357-361 【核心库】
关键词 JFET输入运算放大器 ; 正常工作状态 ; 零偏置状态 ; 辐射损伤
地址

中国科学院新疆理化技术研究所, 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐, 830011

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-3219
学科 电子技术、通信技术
文献收藏号 CSCD:3922719

参考文献 共 14 共1页

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引证文献 1

1 王义元 双极线性稳压器电离辐射剂量率效应及其损伤分析 物理学报,2011,60(9):096104-1-096104-9
被引 9

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