文摘
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成功地用深能级瞬态谱(DLTS)研究了InAs自组织生长的量子点电学性质,获得2.5原子层InAs量子点电子基态能级在GaAs导带底下约0.13eV,该量子点在荷电状态发生变化时伴随有晶格弛豫,对应俘获势垒为0.32eV。 |
来源
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红外与毫米波学报
,1997,16(4):241 【核心库】
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关键词
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量子点
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DLTS
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自组织生长
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InAs/GaAs
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地址
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1.
中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京
2.
北京师范大学物理系, 北京
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语种
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中文 |
文献类型
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研究性论文 |
ISSN
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1001-9014 |
学科
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物理学 |
基金
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国家攀登计划项目
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国家自然科学基金
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文献收藏号
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CSCD:375740
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