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InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒

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陈枫 1   封松林 1   杨锡震 2   王志明 1   汪辉 1   邓元明 1  
文摘 成功地用深能级瞬态谱(DLTS)研究了InAs自组织生长的量子点电学性质,获得2.5原子层InAs量子点电子基态能级在GaAs导带底下约0.13eV,该量子点在荷电状态发生变化时伴随有晶格弛豫,对应俘获势垒为0.32eV。
来源 红外与毫米波学报 ,1997,16(4):241 【核心库】
关键词 量子点 ; DLTS ; 自组织生长 ; InAs/GaAs
地址

1. 中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京  

2. 北京师范大学物理系, 北京

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 1001-9014
学科 物理学
基金 国家攀登计划项目 ;  国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:375740

参考文献 共 1 共1页

1.  杨小平. GaAs(100)衬底上自组织生长InAs量子点的研究. 半导体学报,1996,17:869 被引 14    
引证文献 3

1 陈枫 InAs自组织生长量子点超晶格的电学性质 半导体学报,1998,19(6):401
被引 3

2 王海龙 InAs自组织生长量子点的空穴俘获势垒 红外与毫米波学报,1999,18(5):397
被引 0 次

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封松林 0000-0001-5515-2034
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