自组织InAs/GaAs岛状结构生长停顿研究

王志明 ¹ 吕振东 ¹ 封松林 ¹ 杨小平 ¹ 陈宗圭 ¹ 徐仲英 ¹ 郑厚植 ¹ 王凤莲 ² 高-- ³ 韩培德 ³ 段晓峰 ³

文摘	报道了自组织生长InAs/GaAs岛状结构生长停顿的研究结果。在完成InAs岛生长以后，引入不同时间的停顿，然后再淀积GaAs盖层，将导一致InAs岛光致发光峰蓝移，发光谱线变宽，同时发光强度减弱。透射电子显微镜分析表明在这种结构中出了失配位错，在其附近应变得到部分弛豫，成为InAs材料的俘获陷阱。随着停顿时间加长，InAs岛密度降低，尺寸变小，光致发光谱发生相应变化。
来源	红外与毫米波学报 ,1997,16(5):335 【核心库】
关键词	InAs/GaAs ; 量子点 ; 生长停顿
地址	1. 中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京 2. 北京电子显微镜开放实验室, 北京电子显微镜开放实验室, 北京, 100080 3. 北京电子显微镜开放实验室, 北京电子显微镜开放实验室, 北京
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	1001-9014
学科	物理学
基金	国家自然科学基金
文献收藏号	CSCD:375710

参考文献共 1 共1页

1. 王志明. 10th International Conference on Superlattices Microstructures and Microdevices,1997

被引 1 次

引证文献 3 篇

1 王晓东低温GaAs外延层上生长InAs量子点的研究红外与毫米波学报,2000,19(3):177
被引 2 次

2 牛智川 InGaAs/GaAs自组织量子点光致发光特性研究红外与毫米波学报,2001,20(1):20
被引 0 次

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封松林 0000-0001-5515-2034 杨小平 0000-0002-3680-628X

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