LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP 压、张应变交替 MQW 激光器特性

王志杰 ¹ 陈博 ² 王圩 ² 张济志 ² 朱洪亮 ² 周帆 ² 王玉田 ² 金才政 ² 马朝华 ²

文摘	国内首次报道了LP-MOVPE法生长高质量的高、张应变交替InGaAsP多量子阱结构的研制过程及其材料的高精度X-ray双晶摇摆衍射曲线和荧光光谱特性表征。经过双腔面镀增透射膜后，其TE模与TM模自发发射谱光强差为3dBm，呈现偏振补偿特性。
来源	光子学报 ,1997,26(5):418 【核心库】
关键词	低阈值 ; 应变 ; 激光器 ; LP-MOCVD
地址	1. 中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京, 100083 2. 中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	1004-4213
学科	物理学
文献收藏号	CSCD:372760

参考文献共 0

引证文献 1 篇

1 张永明 808nm InGaAsP—InP单量子阱激光器热特性研究光子学报,2006,35(1):9-12
被引 4 次

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