垂直腔面发射激光器热特性的实验研究

高洪海 ¹ 林世鸣 ² 康学军 ² 高俊华 ² 王立轩 ² 王红杰 ² 吴荣汉 ²

文摘	通过对垂直腔面发射激光器发光波长随器件本身温度变化的实验研究，得到了垂直腔面发射激光器在连续工作状态下内部温度升高的值，并且通过对激光器脉冲激射阈值随器件本身温度变化的关系研究，得到了现有工艺条件下，研制低阈置器件所需的实验数据。
来源	光子学报 ,1997,26(6):522 【核心库】
关键词	垂直腔面发射激光器 ; 模式 ; 增益谱
地址	1. 中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京, 100083 2. 中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	1004-4213
学科	物理学
文献收藏号	CSCD:372754

参考文献共 1 共1页

1. 郭长志. 半导体激光器模式理论,1989:58

被引 2 次

引证文献 5 篇

1 康学军 Photonic AND Gate Based on Hybrid Integration of GaAs VCSEL and GaAs MISS 半导体学报,1999(8):717
被引 0 次

2 赵红东量子阱垂直腔面发射激光器及其微腔物理激光与光电子学进展,2001(4):19
被引 1 次

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