MBE自组织生长多层竖直自对准InAs量子点结构的研究

朱东海范缇文梁基本徐波朱战萍龚谦江潮李含轩周伟王占国

文摘	利用MBE方法在(001)GaAs衬底上生长了多层竖直自对准InAs量子点结构。透射电子显微镜的观察表明，多层量子点成一系列柱状分布。同单层量子点相比，多层量子点的光荧光谱线发生红移。这表明由于量子点中载流子波函数的扩展和交迭，柱中量子点之间有耦合现象发生。光荧光谱线半高宽随温度的反常变化说明载流子还会在邻近柱中隧穿。
来源	发光学报 ,1997,18(3):228 【核心库】
关键词	量子点 ; 分子束外延 ; 光荧光
地址	中科院半导体所, 北京
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	1000-7032
学科	物理学
基金	国家自然科学基金
文献收藏号	CSCD:367004

参考文献共 1 共1页

1. Xu Z Y. Phys Rev B,1996,54:11528

被引 33 次

引证文献 1 篇

1 孔令民多层InAs量子点的光致发光研究半导体光电,2005,26(6):519-522,526
被引 2 次

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徐波 0000-0003-4050-0432 周伟 0000-0003-0352-8356

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