功率MOSFET反向特性的分析模拟

周宝霞 ¹ 陈治明 ¹ 王守觉 ²

文摘	对功率MOSFET的反向特性进行了模拟,着重分析了N沟功率MOSFET体内集成二极管的独特的作用,并对P沟器件在特性模拟时由于PSPICE模型参数的限制而表现出来的误差进行了分析,提出了改善措旋,并得到了与实际相符合的结论.
来源	半导体学报 ,1997,18(1):32 【核心库】
关键词	功率MOSFET ; 反向特性 ; 分析模拟
地址	1. 西安理工大学, 陕西, 西安 2. 中科院半导体所, 北京
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	0253-4177
学科	电子技术、通信技术
文献收藏号	CSCD:358670

参考文献共 3 共1页

	1. 陈星弼. 功率MOSFET与高压集成电路,1990	被引 45 次
	2. 团体著者. 功率场效应管应用大全,1991	被引 1 次
	3. 周宝霞. 适合于PSPICE的一种精确的功率MOSFET等效电路. 半导体学报,1996,17(4):289	被引 4 次

引证文献 4 篇

1 何进 VDMOS均匀掺杂外延区的优化设计半导体学报,1999,20(11):977
被引 6 次

2 刘汉民同步整流技术在无刷直流电动机驱动中的应用微特电机,2005,33(4):25-27,30,33
被引 1 次

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