Si非平面衬底上SiGe/Si量子阱的光致发光特性

杨沁清 ¹ 钱毅 ¹ 董文甫 ¹ 王启明 ¹ 崔堑 ² 黄绮 ² 周均铭 ²

文摘	采用一种晶向性腐蚀方法,在(100)Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构,经SiGeMBE外延后,从SEM照片上可以看出,SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构.非平面结构上的SiGe层的发光强度为平面结构上的8～10倍.从SiGe层内发出的发光强度占样品总发光强度的96％,且m≈1.1的值表明外延层的质量及对载流子的收集效率是高的.随着激发功率的增加,可以看到PL谱的蓝移.
来源	半导体学报 ,1997,18(1):10 【核心库】
关键词	Si非平面衬底 ; SiGe/Si量子阱 ; 光致发光
地址	1. 中科院半导体所, 北京 2. 中科院物理所, 北京
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	0253-4177
学科	电子技术、通信技术
基金	国家863计划
文献收藏号	CSCD:358666

参考文献共 1 共1页

1. Tang Y S. J Electron Mater,1995,24(2):99

被引 2 次

引证文献 1 篇

1 司俊杰图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究半导体学报,1999,20(5):353
被引 1 次

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