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MOVPE生长GaN的准热力学模型及其相图
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文摘
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基于准热力学平衡模型对以TMGa和NH_3为源的MOVPE生长GaN的过程进行了分析,并在此基础上计算了MOVPE生长GaN的相图。Gan的MOVPE相图由GaN(s)单凝聚相区、GaN(s)+Ga(1)双凝聚相区、表面会形成Ga滴和不会形成Ga滴的两个腐蚀区构成。着重讨论了生长温度、反应室压力、载气组分、NH_3分解率和V/III比对GaN单凝聚相区边界的影响。 |
来源
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半导体学报
,1997,18(5):385 【核心库】
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关键词
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MOVPE生长GaN
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准热力学模型
;
相图
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地址
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1.
中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京
2.
中科院半导体所, 北京
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语种
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中文 |
文献类型
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简报 |
ISSN
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0253-4177 |
学科
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电子技术、通信技术 |
文献收藏号
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CSCD:358593
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参考文献 共
5
共1页
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1.
陆大成.
J Cryst Growth,1992,124:383
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被引
2
次
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2.
陆大成.
J Cryst Growth,1993,129:629
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被引
3
次
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3.
段树坤. ZnSe的MOVPE生长相图以DMZn和H↓2Se为源.
半导体学报,1996,17:401
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被引
1
次
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4.
段树坤.
J Cryst Growth,1997,170:514
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被引
1
次
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5.
段树坤.
Mater Sci Eng B,1995,29:58
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被引
1
次
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