帮助 关于我们

返回检索结果

MOVPE生长GaN的准热力学模型及其相图

查看参考文献5篇

段树坤 1   陆大成 2  
文摘 基于准热力学平衡模型对以TMGa和NH_3为源的MOVPE生长GaN的过程进行了分析,并在此基础上计算了MOVPE生长GaN的相图。Gan的MOVPE相图由GaN(s)单凝聚相区、GaN(s)+Ga(1)双凝聚相区、表面会形成Ga滴和不会形成Ga滴的两个腐蚀区构成。着重讨论了生长温度、反应室压力、载气组分、NH_3分解率和V/III比对GaN单凝聚相区边界的影响。
来源 半导体学报 ,1997,18(5):385 【核心库】
关键词 MOVPE生长GaN ; 准热力学模型 ; 相图
地址

1. 中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京  

2. 中科院半导体所, 北京

语种 中文
文献类型 简报
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
文献收藏号 CSCD:358593

参考文献 共 5 共1页

1.  陆大成. J Cryst Growth,1992,124:383 被引 2    
2.  陆大成. J Cryst Growth,1993,129:629 被引 3    
3.  段树坤. ZnSe的MOVPE生长相图以DMZn和H↓2Se为源. 半导体学报,1996,17:401 被引 1    
4.  段树坤. J Cryst Growth,1997,170:514 被引 1    
5.  段树坤. Mater Sci Eng B,1995,29:58 被引 1    
引证文献 5

1 段树坤 Growth of GaN on magnesium aluminate substrate by LP-MOVPE 半导体学报,1997,18(10):787
被引 1

2 姚冬敏 GaN的RBS/沟道、X射线双晶衍射和光致发光谱 半导体学报,2000,21(5):437
被引 5

显示所有5篇文献

论文科学数据集
PlumX Metrics
相关文献

 作者相关
 关键词相关
 参考文献相关

版权所有 ©2008 中国科学院文献情报中心 制作维护:中国科学院文献情报中心
地址:北京中关村北四环西路33号 邮政编码:100190 联系电话:(010)82627496 E-mail:cscd@mail.las.ac.cn 京ICP备05002861号-4 | 京公网安备11010802043238号