帮助 关于我们

返回检索结果

In↓xGa↓(1-x)As/InP应变多量子阱P-i-N结构的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究

查看参考文献1篇

王晓亮 1   孙殿照 1   孔梅影 1   侯洵 2   曾一平 1  
来源 半导体学报 ,1997,18(7):502 【核心库】
关键词 In↓xGa↓(1-x)As/InP应变多量子阱 ; P-i-N结构 ; GSMBE生长 ; X射线双晶衍射
地址

1. 中科院半导体所, 北京  

2. 中科院西安光学精密机械所, 陕西, 西安

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
基金 国家863计划
文献收藏号 CSCD:358590

参考文献 共 1 共1页

1.  Wu Ming C. Appl Phys Lett,1990,56:221 被引 1    
引证文献 1

1 王晓亮 InxGa1—xAs/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化 半导体学报,1998,19(6):417
被引 1

显示所有1篇文献

论文科学数据集
PlumX Metrics
相关文献

 作者相关
 关键词相关
 参考文献相关

版权所有 ©2008 中国科学院文献情报中心 制作维护:中国科学院文献情报中心
地址:北京中关村北四环西路33号 邮政编码:100190 联系电话:(010)82627496 E-mail:cscd@mail.las.ac.cn 京ICP备05002861号-4 | 京公网安备11010802043238号