半导体微腔物理及其应用

郑厚植

文摘	半导体微物理是半导体低维结构物理与量子光学的交叉前沿领域。该文就半导体微腔中自发辐射增强效应，腔极化激元与Rabi分裂，腔极化激元的色散关系，稳态与瞬态的光学性质，三维受限微腔激光器特性等作一概要介绍，力图重点地从物理角度来阐明这些物理现象。
来源	半导体学报 ,1997,18(7):481 【核心库】
关键词	半导体微腔物理
地址	中科院半导体所, 北京
语种	中文
文献类型	综述型
ISSN	0253-4177
学科	电子技术、通信技术
文献收藏号	CSCD:358587

参考文献共 2 共1页

	1. Wang H. Phys Rev B,1995,51:14713	被引 2 次
	2. Zhu Y. Phys Rev Lett,1990,64:2499	被引 11 次

引证文献 15 篇

1 宁永强 Ultralow Threshold Lasing in InGaAs/InGaAsP MQW Microdisk Laser 半导体学报,1999,20(12):1122
被引 0 次

2 赵红东金属平面半导体量子阱微腔自发发射半导体学报,2000,21(1):33
被引 2 次

论文科学数据集

PlumX Metrics

相关文献
作者相关关键词相关参考文献相关

返回检索结果