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自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究

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王志明 1   邓元明 1   封松林 1   吕振东 1   陈宗圭 1   王凤莲 1   徐仲英 1   郑厚植 1   高-- 2   韩培德 3   段晓峰 3  
文摘 报道了关于InAs/GaAs自组织生长多层垂直耦合量子点的研究结果。透射电子显微镜测量显示多层量子点在生长方向上成串排列，有些量子串会发生融和。还有些量子串生长不完全，也就是说包含的量子点个数少于InAs层数，并由此导致多耦合量子点的光致发光谱具有高能带尾。
来源 半导体学报 ,1997,18(7):550 【核心库】
关键词 片组织生长多层垂直耦合 ; InAs量子点
地址

1. 中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京  

2. 中科院北京电子显微镜实验室, 北京电子显微镜开放实验室, 北京, 100080  

3. 中科院北京电子显微镜实验室, 北京电子显微镜开放实验室, 北京

语种 中文
文献类型 简报
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
基金 国家攀登计划项目 ;  国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:358575

参考文献 共 4 共1页

1.  Yao J Y. J Appl Phys,1991,69:2224 被引 7 次    
2.  Xia Qianghua. Phys Rev Lett,1995,75:2542 被引 1 次    
3.  Xie Q H. J Vac Sci Technol B,1996,13:2203 被引 4 次    
4.  杨小平. GaAs（100）衬底上自组织生长InAs量子点的研究. 半导体学报,1996,17:869 被引 14 次    
引证文献 7 篇

1 王志明 自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究 物理学报,1998,47(1):89
被引 8 次

2 汪辉 室温脉冲激射的纵向控制InAs量子点激光器 半导体学报,1999,20(4):328
被引 4 次

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封松林 0000-0001-5515-2034
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