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Two-Dimensional Simulation of Interface States Effect on AlGaAs/GaAs HEMT

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来源 半导体学报 ,1997,18(8):636 【核心库】
关键词 Two-Dimensional Simulation ; Interface States ; AlGaAs/GaAs HEMT
地址

中科院半导体所, 北京

语种 中文
文献类型 简报
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
文献收藏号 CSCD:358566

参考文献 共 2 共1页

1.  Su C. IEDM Tech Dig,1983:601 被引 1 次    
2.  Tang J Y. IEEE Trans Electron Dev,1995,32:1817 被引 1 次    
引证文献 1 篇

1 张兴宏 界面态对AlGaAs/GaAs HEMT直流输出特性的影响 半导体学报,1999,20(11):989
被引 1 次

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