InAs/GaAs自组织生长量子点结构中浸润层光致发光研究

吕振东 ¹ 徐仲英 ¹ 郑宝真 ¹ 许继宗 ¹ 王玉琦 ² 王建农 ² 葛惟锟 ²

文摘	当激发光能量小于GaAs热垒带边能量时，在InAs量子点结构中，清楚地观察到与InAs浸润层有关的发光峰。研究表明，此发光峰主要来源于浸润层中局域态激子发光，局域化能量为12meV,发光具有二维特性。在相同的生长条件下，此发光峰位置与InAs层的厚度基本无关。这些结果有助于进一步深入研究浸润层的形貌和光学性质。
来源	半导体学报 ,1997,18(8):631 【核心库】
关键词	InAs/GaAs自组织生长量子点结构 ; 浸润层光致发光
地址	1. 中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京 2. 香港科技大学物理系, 香港
语种	中文
文献类型	简报
ISSN	0253-4177
学科	电子技术、通信技术
基金	国家自然科学基金 ; 国家攀登计划项目
文献收藏号	CSCD:358565

参考文献共 6 共1页

	1. Wang P D. Appl Phys Lett,1994,64:1526	被引 8 次
	2. Yuan Z L. Phys Rev B,1996,54:16919	被引 3 次
	3. Xie Qianghua. J Cryst Growth,1995,150:357	被引 2 次
	4. 徐仲英. Phys Rev B,1996,54:11528	被引 1 次
	5. 徐仲英. Superlatticds and Microstructures	被引 1 次
	6. Lu Z D. 半导体学报,1996,17:793	被引 1 次

引证文献 3 篇

1 王杏华 Application of Wet Chemical Etching in Fabrication Process of GaAs/AlGaAs Quantum Dot Arrays 半导体学报,2000,21(1):22
被引 0 次

2 彭英才纳米量子点结构的自组织生长固体电子学研究与进展,2000,20(2):160
被引 0 次

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